Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT3008LFDF-7
DMT3008LFDF-7

DMT3008LFDF-7 Diodes Incorporated

DMT3008LFDF.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+20.75 грн
6000+18.49 грн
9000+17.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3008LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції DMT3008LFDF-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3008LFDF-7 DMT3008LFDF-7 Diodes Incorporated DMT3008LFDF.pdf MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT3008LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Case: DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7 DMT3008LFDF.pdf
DMT3008LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 30V N-Ch Enh FET 20Vgs 0.5W 70A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3008LFDF-7 DMT3008LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1W; DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 5.8nC
On-state resistance: 10mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Case: DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.