DMT3009LDT-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.69 грн |
| 10+ | 63.16 грн |
| 100+ | 41.95 грн |
| 500+ | 30.82 грн |
| 1000+ | 28.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3009LDT-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.2W, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMT3009LDT-7 за ціною від 23.25 грн до 107.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT3009LDT-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|