Продукція > DIODES INC. > DMT3009LDT-7
DMT3009LDT-7

DMT3009LDT-7 DIODES INC.

DIOD-S-A0011708456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.44 грн
500+35.70 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3009LDT-7 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm, tariffCode: 85411000, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: V-DFN3030, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMT3009LDT-7 за ціною від 22.57 грн до 110.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3009LDT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
на замовлення 2313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.81 грн
10+59.76 грн
100+40.78 грн
500+29.96 грн
1000+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3009LDT.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.80 грн
10+64.94 грн
100+38.73 грн
500+30.72 грн
1000+28.01 грн
3000+24.38 грн
6000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011708456-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3009LDT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 30 A, 30 A, 7200 µohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 7200µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: V-DFN3030
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 7200µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+110.09 грн
13+70.54 грн
100+48.44 грн
500+35.70 грн
1000+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 Виробник : Diodes Inc dmt3009ldt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 Виробник : Diodes Zetex dmt3009ldt.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 30A 8-Pin VDFN T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7 DMT3009LDT-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3009LDT.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 30A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 14.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type K)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009LDT-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3009LDT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 80A; 1.2W
Case: V-DFN3030-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -16...20V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 11A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 80A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.