Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT3009UDT-7

DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated

DMT3009UDT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS)
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+20.96 грн
3000+18.53 грн
4500+17.69 грн
7500+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 10.6A 8VDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), 16W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 894pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.1mOhm @ 11A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.6nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: V-DFN3030-8 (Type KS), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMT3009UDT-7 за ціною від 29.91 грн до 29.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT3009UDT-7 DIODES INCORPORATED DMT3009UDT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 10.6A; V-DFN3030-8; common source
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.6A
Case: V-DFN3030-8
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1500+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7 Diodes Incorporated DMT3009UDT.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7 DMT3009UDT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 30V; 10.6A; V-DFN3030-8; common source
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.6A
Case: V-DFN3030-8
Mounting: SMD
Gate charge: 14.6nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common source
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1500+29.91 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3009UDT-7 DMT3009UDT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V V-DFN3030-8 T&R 1.5K
на замовлення 1442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.