Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT3020LDV-7
DMT3020LDV-7

DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated

DMT3020LDV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+13.51 грн
4000+11.89 грн
6000+11.32 грн
10000+10.03 грн
14000+9.67 грн
20000+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMT3020LDV-7 за ціною від 13.87 грн до 55.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Diodes Zetex dmt3020ldv.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated DMT3020LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 138116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.42 грн
10+33.13 грн
100+21.44 грн
500+15.40 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated DMT3020LDV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 DIODES INC. DMT3020LDV.pdf Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 DIODES INC. DMT3020LDV.pdf Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 dmt3020ldv.pdf
DMT3020LDV-7
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+14.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV.pdf
DMT3020LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 138116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+55.42 грн
10+33.13 грн
100+21.44 грн
500+15.40 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV.pdf
DMT3020LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV.pdf
DMT3020LDV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV.pdf
DMT3020LDV-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.