на замовлення 146000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 12.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3020LDV-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerDI3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT3020LDV-7 за ціною від 11.23 грн до 63.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT3020LDV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) Part Status: Active |
на замовлення 146000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT3020LDV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT3020LDV-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3020LDV-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 32 A, 32 A, 0.014 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 32A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.9W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.9W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT3020LDV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) Part Status: Active |
на замовлення 146708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT3020LDV-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V PowerDI3333-8 T&R 2K |
на замовлення 2789 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT3020LDV-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT3020LDV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMT3020LDV-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 25A; Idm: 50A; 1.9W Drain-source voltage: 30V Drain current: 25A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 |
товару немає в наявності |