Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT3020LDV-7
DMT3020LDV-7

DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated

DMT3020LDV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Part Status: Active
на замовлення 138000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+13.89 грн
4000+12.22 грн
6000+11.64 грн
10000+10.31 грн
14000+9.94 грн
20000+9.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 900mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMT3020LDV-7 за ціною від 11.81 грн до 62.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated DMT3020LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 138116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.96 грн
10+34.06 грн
100+22.04 грн
500+15.82 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV-7 Diodes Incorporated DMT3020LDV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+62.77 грн
10+38.50 грн
100+21.73 грн
500+19.90 грн
1000+16.74 грн
2000+13.57 грн
4000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV.pdf
DMT3020LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 32A PWRDI3333
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 900mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
на замовлення 138116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.96 грн
10+34.06 грн
100+22.04 грн
500+15.82 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LDV-7 DMT3020LDV.pdf
DMT3020LDV-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.77 грн
10+38.50 грн
100+21.73 грн
500+19.90 грн
1000+16.74 грн
2000+13.57 грн
4000+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.