DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10000+ | 14.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3020LFDB-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMT3020LFDB-13 за ціною від 14.64 грн до 14.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT3020LFDB-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
|
|
DMT3020LFDB-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||
| DMT3020LFDB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||
 |
DMT3020LFDB-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V |
товару немає в наявності |
|||||
| DMT3020LFDB-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 |
товару немає в наявності |