DMT3020LFDB-7

DMT3020LFDB-7 Diodes Zetex


dmt3020lfdb.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3020LFDB-7 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 700mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції DMT3020LFDB-7 за ціною від 11.70 грн до 68.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3020LFDB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.93 грн
6000+13.60 грн
9000+12.90 грн
15000+11.79 грн
21000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB-7 Виробник : Diodes Zetex dmt3020lfdb.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB-7 Виробник : Diodes Zetex dmt3020lfdb.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0007771125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3020LFDB.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.36 грн
10+42.26 грн
100+24.37 грн
500+18.79 грн
1000+16.90 грн
3000+13.73 грн
6000+13.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3020LFDB.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.49 грн
10+38.99 грн
100+25.73 грн
500+18.70 грн
1000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0007771125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 700mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 700mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+68.65 грн
20+43.43 грн
100+28.78 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3020LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3020LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.