на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3020LFDB-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.7A, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 700mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 700mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT3020LFDB-7 за ціною від 11.94 грн до 69.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT3020LFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT3020LFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT3020LFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.7A 6-Pin UDFN EP T/R |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT3020LFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT3020LFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 37047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT3020LFDB-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3020LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 7.7 A, 7.7 A, 0.02 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.02ohm Verlustleistung, p-Kanal: 700mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 700mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT3020LFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V |
на замовлення 3543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMT3020LFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMT3020LFDB-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 |
товару немає в наявності |