DMT3020LFDBQ-13 Diodes Incorporated
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.97 грн |
10+ | 31.55 грн |
100+ | 21.2 грн |
500+ | 17.56 грн |
1000+ | 13.58 грн |
2500+ | 13.38 грн |
10000+ | 11.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3020LFDBQ-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W, Mounting: SMD, Power dissipation: 1.8W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Gate charge: 7nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 50A, Case: U-DFN2020-6, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 6.2A, On-state resistance: 32mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 10000 шт.
Інші пропозиції DMT3020LFDBQ-13
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
DMT3020LFDBQ-13 | Виробник : Diodes Inc | Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
товар відсутній |
||
DMT3020LFDBQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 10000 шт |
товар відсутній |
||
DMT3020LFDBQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W Mounting: SMD Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Case: U-DFN2020-6 Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |