Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT3020LFDBQ-7
DMT3020LFDBQ-7

DMT3020LFDBQ-7 Diodes Incorporated

DMT3020LFDBQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.15 грн
13+28.21 грн
100+17.06 грн
500+14.12 грн
1000+13.21 грн
3000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3020LFDBQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 700mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT3020LFDBQ-7 за ціною від 13.97 грн до 58.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3020LFDBQ-7 DMT3020LFDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.79 грн
10+34.36 грн
100+20.47 грн
500+15.26 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7 Виробник : Diodes Inc dmt3020lfdbq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7 DMT3020LFDBQ-7 Виробник : Diodes Zetex dmt3020lfdbq.pdf Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7 DMT3020LFDBQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT3020LFDBQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 7.7A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3020LFDBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.