
DMT3020LFDF-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10000+ | 14.19 грн |
20000+ | 12.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3020LFDF-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 1.8W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393 pF @ 15 V.
Інші пропозиції DMT3020LFDF-13 за ціною від 14.39 грн до 14.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT3020LFDF-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
DMT3020LFDF-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 9980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
![]() |
DMT3020LFDF-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
DMT3020LFDF-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
||||||
DMT3020LFDF-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.4A On-state resistance: 28mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 40A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 |
товару немає в наявності |