DMT3020LSDQ-13

DMT3020LSDQ-13 Diodes Incorporated


DMT3020LSDQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.33 грн
5000+13.56 грн
7500+12.95 грн
12500+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT3020LSDQ-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT3020LSDQ-13 за ціною від 12.05 грн до 61.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmt3020lsdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+15.49 грн
40+15.25 грн
41+15.02 грн
100+14.25 грн
250+12.98 грн
500+12.26 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmt3020lsdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
753+16.17 грн
765+15.91 грн
778+15.65 грн
791+14.85 грн
1000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 753
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : DIODES INC. DMT3020LSDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.16 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : DIODES INC. DMT3020LSDQ.pdf Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.28 грн
34+24.23 грн
100+19.16 грн
500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT3020LSDQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.5K
на замовлення 52165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+41.36 грн
12+28.31 грн
100+18.51 грн
500+15.86 грн
1000+15.07 грн
2500+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT3020LSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.32 грн
10+37.00 грн
100+24.65 грн
500+18.60 грн
1000+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : Diodes Zetex dmt3020lsdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive AEC-Q101 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 Виробник : Diodes Inc dmt3020lsdq.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 16A Automotive 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3020LSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT3020LSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Mounting: SMD
Case: SO8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.