
DMT3020LSDQ-13 Diodes Zetex
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
39+ | 15.53 грн |
40+ | 15.29 грн |
41+ | 15.05 грн |
100+ | 14.28 грн |
250+ | 13.01 грн |
500+ | 12.29 грн |
1000+ | 12.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3020LSDQ-13 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT3020LSDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 16 A, 16 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 1W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 1W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT3020LSDQ-13 за ціною від 12.04 грн до 62.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 1244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 16A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 52165 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 393pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 14488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : Diodes Inc |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
DMT3020LSDQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 13A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 50A Mounting: SMD Case: SO8 |
товару немає в наявності |