
DMT3020UFDB-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 860mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3000+ | 13.94 грн |
6000+ | 12.31 грн |
9000+ | 11.75 грн |
15000+ | 10.43 грн |
21000+ | 10.07 грн |
30000+ | 10.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT3020UFDB-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 860mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 383pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 6A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.7V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).
Інші пропозиції DMT3020UFDB-7 за ціною від 10.57 грн до 55.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMT3020UFDB-7 | Виробник : Diodes Zetex |
![]() |
на замовлення 357000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMT3020UFDB-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|