Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT31M6LPS-13
DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS-13 Diodes Incorporated

DMT31M6LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 497500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT31M6LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT31M6LPS-13 за ціною від 36.69 грн до 113.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT31M6LPS-13 DMT31M6LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT31M6LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35.8A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7019 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 499945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.80 грн
10+74.10 грн
100+52.13 грн
500+39.71 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT31M6LPS.pdf DMT31M6LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT31M6LPS-13 DMT31M6LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT31M6LPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.