DMT32M4LFG-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung Pd: 2.6W
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Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 49.03 грн |
| 18+ | 43 грн |
| 100+ | 35.62 грн |
| 500+ | 29.61 грн |
| 2000+ | 26.89 грн |
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Технічний опис DMT32M4LFG-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M4LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DMT32M4LFG-7
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
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DMT32M4LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4366 pF @ 15 V |
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