Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT32M5LFG-7
DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated

DMT32M5LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+33.84 грн
6000+31.04 грн
10000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMT32M5LFG-7 за ціною від 26.44 грн до 120.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 DIODES INC. DMT32M5LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.11 грн
500+34.51 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated DMT32M5LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+64.45 грн
100+50.14 грн
500+39.88 грн
1000+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated DMT32M5LFG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.79 грн
10+75.13 грн
100+43.74 грн
500+34.46 грн
1000+31.51 грн
2000+26.72 грн
4000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 DIODES INC. DMT32M5LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.61 грн
11+76.47 грн
100+51.11 грн
500+34.51 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG.pdf
DMT32M5LFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.11 грн
500+34.51 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG.pdf
DMT32M5LFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.49 грн
10+64.45 грн
100+50.14 грн
500+39.88 грн
1000+32.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG.pdf
DMT32M5LFG-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.79 грн
10+75.13 грн
100+43.74 грн
500+34.46 грн
1000+31.51 грн
2000+26.72 грн
4000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG.pdf
DMT32M5LFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 1400 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+120.61 грн
11+76.47 грн
100+51.11 грн
500+34.51 грн
1000+30.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.