DMT32M5LFG-7

DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated


DMT32M5LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 28000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+34.04 грн
6000+31.22 грн
10000+29.78 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT32M5LFG-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT32M5LFG-7 за ціною від 29.87 грн до 86.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Виробник : DIODES INC. DMT32M5LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+48.94 грн
500+43.83 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT32M5LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4066 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 29928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.97 грн
10+64.83 грн
100+50.43 грн
500+40.11 грн
1000+32.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Виробник : DIODES INC. DMT32M5LFG.pdf Description: DIODES INC. - DMT32M5LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0014 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 50W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.83 грн
12+69.90 грн
100+48.94 грн
500+43.83 грн
1000+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0004145301_1-2542372.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.69 грн
10+69.88 грн
100+42.52 грн
500+34.28 грн
1000+31.63 грн
2000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT32M5LFG.pdf DMT32M5LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.