Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT32M5LPS-13
DMT32M5LPS-13

DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated

DMT32M5LPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+21.28 грн
5000+19.18 грн
7500+18.84 грн
12500+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції DMT32M5LPS-13 за ціною від 23.07 грн до 67.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated DMT32M5LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 71806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.42 грн
10+45.37 грн
100+31.52 грн
500+25.38 грн
1000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 Diodes Incorporated DMT32M5LPS.pdf MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS.pdf
DMT32M5LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 150A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3944 pF @ 25 V
на замовлення 71806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.42 грн
10+45.37 грн
100+31.52 грн
500+25.38 грн
1000+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT32M5LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS.pdf
DMT32M5LPS-13
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DIOD-S-A0007771231-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT32M5LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT32M5LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 150 A, 1600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.