Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT32M6LDG-13
DMT32M6LDG-13

DMT32M6LDG-13 Diodes Incorporated

DMT32M6LDG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+45.39 грн
6000+41.63 грн
9000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT32M6LDG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G), Part Status: Active.

Інші пропозиції DMT32M6LDG-13 за ціною від 43.57 грн до 109.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT32M6LDG-13 DMT32M6LDG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT32M6LDG.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 23990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.82 грн
10+86.44 грн
100+67.24 грн
500+53.49 грн
1000+43.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M6LDG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT32M6LDG-3103748.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.