DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 42.15 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT32M6LDG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G), Part Status: Active.
Інші пропозиції DMT32M6LDG-7 за ціною від 41.62 грн до 115.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT32M6LDG-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G) Part Status: Active |
на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| DMT32M6LDG-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 47A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2101pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 18A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 400µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type G)
Part Status: Active
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.22 грн |
| 10+ | 85.14 грн |
| 100+ | 58.70 грн |
| 500+ | 43.84 грн |
| 1000+ | 41.62 грн |