DMT35M4LFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.81 грн |
| 500+ | 14.68 грн |
| 1000+ | 12.21 грн |
| 5000+ | 10.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT35M4LFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 860mW, Bauform - Transistor: UDFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT35M4LFDF-7 за ціною від 10.87 грн до 55.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT35M4LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 9812 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT35M4LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT35M4LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0049ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT35M4LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DMT35M4LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V |
на замовлення 67024 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| DMT35M4LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 1.7W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 14.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMT35M4LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; Idm: 90A; 1.7W Mounting: SMD Drain-source voltage: 30V Drain current: 11A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 14.9nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 90A |
товару немає в наявності |