DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 622500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 11.08 грн |
| 5000+ | 10.49 грн |
| 7500+ | 10.30 грн |
| 12500+ | 9.50 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT36M1LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 65A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT36M1LPS-13 за ціною від 10.18 грн до 40.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT36M1LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT36M1LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V |
на замовлення 624997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT36M1LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT36M1LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 65 A, 0.0048 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 65A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT36M1LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFETBVDSS: 25V-30V |
на замовлення 4893 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT36M1LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMT36M1LPS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMT36M1LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 9.8mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMT36M1LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; Idm: 100A; 2.6W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: PowerDI5060-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 16.7nC On-state resistance: 9.8mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 100A Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V |
товару немає в наявності |