DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 257500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 42.83 грн |
| 5000+ | 39.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT4002LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.3W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT4002LPS-13 за ціною від 40.68 грн до 149.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT4002LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT4002LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT4002LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0013 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT4002LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6771 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 259780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT4002LPS-13 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| DMT4002LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 116.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMT4002LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 200A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Drain-source voltage: 40V Drain current: 100A On-state resistance: 3.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 116.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 200A Mounting: SMD |
товару немає в наявності |