DMT4003SCT Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 205A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 205A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6865 pF @ 20 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 123.38 грн |
| 10+ | 106.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT4003SCT Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 205A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT4003SCT за ціною від 45.39 грн до 124.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT4003SCT | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DMT4003SCT | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4003SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 205 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 205A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
DMT4003SCT | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 205A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DMT4003SCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 164A; Idm: 350A; 156W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 75.6nC On-state resistance: 2.4mΩ Power dissipation: 156W Drain current: 164A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Pulsed drain current: 350A Kind of package: tube Case: TO220AB |
товару немає в наявності |