DMT4008LFDF-7 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 45.80 грн |
| 500+ | 42.00 грн |
| 1000+ | 35.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT4008LFDF-7 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 800mW, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT4008LFDF-7 за ціною від 24.35 грн до 75.60 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT4008LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V U-DFN2020-6 T&R 3K |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
DMT4008LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 0.0078 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85415000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|