Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT4008LFDF-7

DMT4008LFDF-7 Diodes Incorporated

Name: DMT4008LFDF-7
Brand: DIODES INCORPORATED
SKU: 32249706-8
Price: 69360.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 2502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMT4008LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 800mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm.

Інші пропозиції DMT4008LFDF-7 за ціною від 23.12 грн до 23.12 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

DMT4008LFDF-7

DIODES INC.

DIOD-S-A0005736586-1.pdf?hkey=52A5661711E402568146F3353EA87419

Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT4008LFDF-7

DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT4008LFDF-7

DIODES INCORPORATED

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 11.8A; 800mW; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Gate charge: 17.1nC
Drain current: 11.8A

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

3000+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT4008LFDF-7

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT4008LFDF-7

Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT4008LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 11.8 A, 7800 µohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 800mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT4008LFDF-7

Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 40V; 11.8A; 800mW; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 40V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.8W
Gate charge: 17.1nC
Drain current: 11.8A

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-30 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	23.12 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.