Продукція > DIODES ZETEX > DMT4011LFG-13
DMT4011LFG-13

DMT4011LFG-13 Diodes Zetex

dmt4011lfg.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT4011LFG-13 Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMT4011LFG-13 за ціною від 10.34 грн до 61.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT4011LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.16 грн
6000+12.52 грн
9000+11.45 грн
15000+10.68 грн
21000+10.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013188287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.09 грн
500+17.78 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT4011LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.69 грн
10+35.86 грн
100+23.21 грн
500+16.65 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT4011LFG.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 5067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+39.51 грн
100+22.95 грн
500+17.51 грн
1000+15.45 грн
3000+12.58 грн
6000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013188287-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.48 грн
22+37.88 грн
100+25.09 грн
500+17.78 грн
1000+14.78 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG-13 Виробник : Diodes Zetex dmt4011lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 DMT4011LFG-13 Виробник : Diodes Inc dmt4011lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT4011LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4011LFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT4011LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 8.6A
On-state resistance: 17.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 15.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 65A
Case: PowerDI3333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.