на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 12.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT4011LFG-7 Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 15.6W, Bauform - Transistor: PowerDI 3333, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT4011LFG-7 за ціною від 11.17 грн до 49.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT4011LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT4011LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT4011LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2235 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT4011LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 9880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT4011LFG-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0092 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0092ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT4011LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMT4011LFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Case: PowerDI3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8.6A; Idm: 65A; 2W Polarisation: unipolar Mounting: SMD Drain-source voltage: 40V Drain current: 8.6A On-state resistance: 17.8mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 15.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -16...20V Pulsed drain current: 65A Case: PowerDI3333-8 |
товару немає в наявності |