DMT4014LDV-7 Diodes Incorporated


DMT4014LDV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT4014LDV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1W (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC).

Інші пропозиції DMT4014LDV-7 за ціною від 22.08 грн до 72.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT4014LDV-7 DMT4014LDV-7 Diodes Incorporated DMT4014LDV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+52.49 грн
100+34.64 грн
500+25.31 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4014LDV-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0012994329_1-2513034.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.67 грн
10+56.05 грн
100+38.12 грн
500+31.44 грн
1000+26.72 грн
2000+22.64 грн
10000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4014LDV-7 DMT4014LDV.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.79 грн
10+52.49 грн
100+34.64 грн
500+25.31 грн
1000+23.00 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT4014LDV-7 DIOD_S_A0012994329_1-2513034.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.67 грн
10+56.05 грн
100+38.12 грн
500+31.44 грн
1000+26.72 грн
2000+22.64 грн
10000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.