Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT47M2LDV-7

DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated

Name: DMT47M2LDV-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 18368012-4
Price: 57400 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2000+	27.10 грн

Мінімальне замовлення: 2000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC).

Інші пропозиції DMT47M2LDV-7

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
DMT47M2LDV-7	Виробник : Diodes Inc	DUAL 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI3333-8	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMT47M2LDV-7	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9.5A; Idm: 120A; 14.8W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 14.8W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMT47M2LDV-7	Виробник : Diodes Incorporated	MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
DMT47M2LDV-7	Виробник : DIODES INCORPORATED	Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 9.5A; Idm: 120A; 14.8W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 9.5A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 14.8W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 15mΩ Mounting: SMD Gate charge: 14nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.