DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.19 грн |
| 10+ | 73.45 грн |
| 100+ | 49.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT47M2LDVQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC), Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMT47M2LDVQ-7 за ціною від 28.49 грн до 121.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT47M2LDVQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI3333-8 T&R 2K |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|