Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT5015LFDF-7
DMT5015LFDF-7

DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated

Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A
на замовлення 64141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.42 грн
10+43.78 грн
100+28.41 грн
500+22.40 грн
1000+17.28 грн
3000+15.67 грн
9000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 820mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V.

Інші пропозиції DMT5015LFDF-7

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT5015LFDF-7 DMT5015LFDF-7 Виробник : Diodes Inc dmt5015lfdf.pdf Trans MOSFET N-CH 50V 9.1A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT5015LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT5015LFDF-7 DMT5015LFDF-7 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 820mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.