DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 54.57 грн |
| 5000+ | 49.23 грн |
| 7500+ | 47.69 грн |
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Технічний опис DMT6004LPS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 2.5W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.5W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm.
Інші пропозиції DMT6004LPS-13 за ціною від 54.78 грн до 184.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
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DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V |
на замовлення 13522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT6004LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm |
на замовлення 4544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W |
на замовлення 53858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
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DMT6004LPS-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm |
на замовлення 4544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT6004LPS-13 |
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Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V
на замовлення 13522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 184.43 грн |
| 10+ | 114.47 грн |
| 100+ | 78.34 грн |
| 500+ | 59.01 грн |
| 1000+ | 54.78 грн |
| DMT6004LPS-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 4544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DMT6004LPS-13 |
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Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 53858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DMT6004LPS-13 |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 4544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)