Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6004SCT
DMT6004SCT

DMT6004SCT Diodes Incorporated

DMT6004SCT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 139737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.39 грн
50+85.62 грн
100+77.06 грн
500+58.24 грн
1000+53.71 грн
2000+49.91 грн
5000+48.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6004SCT Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції DMT6004SCT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6004SCT DMT6004SCT Diodes Incorporated DMT6004SCT.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT DIODES INCORPORATED DMT6004SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT.pdf
DMT6004SCT
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT.pdf
DMT6004SCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95.4nC
On-state resistance: 3.1mΩ
Power dissipation: 113W
Drain current: 100A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 180A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.