Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6004SCT
DMT6004SCT

DMT6004SCT Diodes Incorporated

DMT6004SCT.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
на замовлення 139737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.71 грн
50+84.82 грн
100+76.35 грн
500+57.70 грн
1000+53.21 грн
2000+49.44 грн
5000+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6004SCT Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6004SCT

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT6004SCT DMT6004SCT Diodes Incorporated DMT6004SCT.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT DIODES INCORPORATED DMT6004SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 113W
Gate charge: 95.4nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT Diodes Zetex DMT6004SCT.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT.pdf
DMT6004SCT
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT.pdf
DMT6004SCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Pulsed drain current: 180A
Power dissipation: 113W
Gate charge: 95.4nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6004SCT DMT6004SCT.pdf
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.