Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6005LPS-13
DMT6005LPS-13

DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated

DMT6005LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6005LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT6005LPS-13 за ціною від 30.47 грн до 67.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 0.0035 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+50.75 грн
500+41.65 грн
1000+37.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6005LPS.pdf Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.32 грн
10+51.25 грн
100+41.52 грн
500+35.24 грн
1000+32.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6005LPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 10214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.45 грн
10+55.97 грн
100+39.45 грн
500+35.34 грн
1000+32.07 грн
2500+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0013290117-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 0.0035 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.67 грн
14+62.71 грн
100+49.73 грн
500+39.19 грн
1000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 DMT6005LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmt6005lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 17.9A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6005LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 14.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6005LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6005LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 47.1nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 14.7A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.