DMT6005LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.03 грн |
| 500+ | 38.96 грн |
| 1000+ | 34.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6005LPS-13 DIODES INC.
Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMT6005LPS-13 за ціною від 26.95 грн до 119.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6005LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 8327 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6005LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|