DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated


DMT6006SPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W, Case: PowerDI5060-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27.9nC, On-state resistance: 6.2mΩ, Power dissipation: 2.45W, Drain current: 13A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 390A, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.

Інші пропозиції DMT6006SPS-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6006SPS-13 DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated DMT6006SPS.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6006SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.45W
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13 DMT6006SPS.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006SPS-13 DMT6006SPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.45W
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.