DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 109.07 грн |
| 10+ | 67.39 грн |
| 100+ | 38.91 грн |
| 500+ | 30.71 грн |
| 1000+ | 27.74 грн |
| 2500+ | 25.39 грн |
| 5000+ | 24.40 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W, Case: PowerDI5060-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Type of transistor: N-MOSFET, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27.9nC, On-state resistance: 6.2mΩ, Power dissipation: 2.45W, Drain current: 13A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 390A, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement.
Інші пропозиції DMT6006SPS-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6006SPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
 Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060 |
товару немає в наявності |
|
| DMT6006SPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 27.9nC On-state resistance: 6.2mΩ Power dissipation: 2.45W Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 390A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |