Технічний опис DMT6006SPS-13 Diodes Incorporated
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W, Case: PowerDI5060-8, Kind of package: 13 inch reel; tape, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Gate charge: 27.9nC, On-state resistance: 6.2mΩ, Power dissipation: 2.45W, Drain current: 13A, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 390A, Drain-source voltage: 60V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції DMT6006SPS-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
DMT6006SPS-13 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT6006SPS-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 27.9nC On-state resistance: 6.2mΩ Power dissipation: 2.45W Drain current: 13A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 390A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT6006SPS-13 |
![]() |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMT6006SPS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.45W
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; Idm: 390A; 2.45W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.45W
Drain current: 13A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 390A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.




