Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6007LFG-13
DMT6007LFG-13

DMT6007LFG-13 Diodes Incorporated

DMT6007LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.76 грн
10+71.62 грн
100+47.86 грн
500+35.32 грн
1000+32.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6007LFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6007LFG-13 за ціною від 30.58 грн до 132.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6007LFG-13 DMT6007LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
на замовлення 3159 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.60 грн
10+82.29 грн
100+47.79 грн
500+36.82 грн
1000+33.70 грн
3000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13 DMT6007LFG-13 Виробник : Diodes Zetex 1129dmt6007lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13 DMT6007LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6007LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 12A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.