DMT6007LFG-7


DMT6007LFG.pdf
Код товару: 212393
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції DMT6007LFG-7 за ціною від 41.15 грн до 157.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+42.83 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+59.15 грн
500+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6007LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+85.06 грн
7+60.36 грн
10+55.12 грн
50+45.64 грн
100+42.48 грн
250+41.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+85.42 грн
50+76.07 грн
100+59.15 грн
500+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.86 грн
10+90.39 грн
100+61.15 грн
500+45.65 грн
1000+41.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6007LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.13 грн
10+99.29 грн
100+58.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : Diodes Zetex 1129dmt6007lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 Виробник : Diodes Zetex 1129dmt6007lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 15A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

PBS-17 (KLS1-208-1-17-S)
Код товару: 110772
2 Додати до обраних Обраний товар
kls1-208-datasheet.pdf
Виробник: KLS
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Міжплатні з'єднувачі
Функціональний опис: Гнізда однорядні на плату прямі, 17 контактів, крок 2,54мм, 1A
Штирі або гнізда: Гніздо (розетка)
Крок: 2,54 mm
К-сть рядів: однорядні
К-сть контактів: 17
у наявності: 529 шт
429 шт - склад
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується: 1000 шт
1000 шт - очікується
Кількість Ціна
4+5.50 грн
10+4.90 грн
100+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.