DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.19 грн |
| 10+ | 77.21 грн |
| 100+ | 51.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DMT6007LFGQ-7 за ціною від 48.60 грн до 137.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6007LFGQ-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 7272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| DMT6007LFGQ-7 | Виробник : Diodes INC. |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2090 @ 30, Qg, нКл = 41,3, Rds = 6 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: PowerVFDN-8 Од. вим: 100 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|