DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated


DMT6007LFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.76 грн
10+76.34 грн
100+51.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT6007LFGQ-7 за ціною від 42.97 грн до 42.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated DMT6007LFGQ.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 7218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 Diodes INC. DMT6007LFGQ.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2090 @ 30, Qg, нКл = 41,3, Rds = 6 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVFDN-8 Очікується: 4100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 Diodes DMT6007LFGQ.pdf MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Силові MOSFET-модулі
на замовлення 510 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 7218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ.pdf
Виробник: Diodes INC.
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 80 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2090 @ 30, Qg, нКл = 41,3, Rds = 6 мОм, Ugs(th) = 2 В, Р, Вт = 62,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerVFDN-8 Очікується: 4100 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+42.97 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ.pdf
Виробник: Diodes
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333 Силові MOSFET-модулі
на замовлення 510 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.