DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.05 грн |
| 10+ | 64.00 грн |
| 100+ | 42.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6008LFG-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2713 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6008LFG-13 за ціною від 23.39 грн до 107.53 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6008LFG-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12Vgs 13A 2713pF |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|