Продукція > DIODES ZETEX > DMT6009LCT
DMT6009LCT

DMT6009LCT Diodes Zetex

157dmt6009lct.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
458+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 458
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6009LCT Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6009LCT за ціною від 22.53 грн до 105.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6009LCT DMT6009LCT Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LCT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 37.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 6024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.57 грн
50+44.06 грн
100+39.21 грн
500+28.79 грн
1000+26.21 грн
2000+24.30 грн
5000+22.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DMT6009LCT Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LCT.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.23 грн
10+45.15 грн
100+37.67 грн
500+30.09 грн
1000+27.74 грн
2500+24.86 грн
5000+24.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DMT6009LCT Виробник : Diodes Zetex 157dmt6009lct.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DMT6009LCT Виробник : Diodes Zetex 157dmt6009lct.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DMT6009LCT Виробник : Diodes Inc 157dmt6009lct.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 29.8A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 29.8A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.