DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6009LFG-13
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6009LFG-13 | Diodes Incorporated |
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT6009LFG-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 2.08W Gate charge: 33.5nC Polarisation: unipolar Drain current: 9A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 60V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 11.7mΩ Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
DMT6009LFG-13 | Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| DMT6009LFG-13 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
MOSFET 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMT6009LFG-13 |
|
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.08W
Gate charge: 33.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.08W
Gate charge: 33.5nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 11.7mΩ
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DMT6009LFG-13 |
|
Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.