DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 30.87 грн |
| 4000+ | 26.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6009LFG-7 за ціною від 29.21 грн до 100.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6009LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT6009LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V |
на замовлення 6228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT6009LFG-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson |
на замовлення 1799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT6009LFG-7 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMT6009LFG-7 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DMT6009LFG-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 33.5nC On-state resistance: 10mΩ Power dissipation: 19.2W Drain current: 34A Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 90A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |