Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6009LFG-7
DMT6009LFG-7

DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated

DMT6009LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+29.19 грн
4000+27.01 грн
6000+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6009LFG-7 за ціною від 28.62 грн до 107.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 Виробник : Diodes Zetex 1131dmt6009lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET Low Rdson
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.42 грн
10+69.04 грн
100+46.72 грн
250+46.64 грн
500+37.81 грн
1000+32.30 грн
2000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.08W (Ta), 19.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 102393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.43 грн
10+66.44 грн
100+45.01 грн
500+34.19 грн
1000+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 Виробник : Diodes Zetex 1131dmt6009lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 DMT6009LFG-7 Виробник : Diodes Inc 1131dmt6009lfg.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 11A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34A; Idm: 90A; 19.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34A
On-state resistance: 10mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 19.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 90A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.