DMT6009LJ3 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT6009LJ3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 74.5 A, 0.008 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 71.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6009LJ3 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LJ3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 74.5 A, 0.008 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції DMT6009LJ3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6009LJ3 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 15632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| DMT6009LJ3 | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 74.5A 3-Pin(3+Tab) TO-251 Tube |
товару немає в наявності |
||
| DMT6009LJ3 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 74.5A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 74.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 83.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (Type TH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |