DMT6009LJ3 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LJ3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 74.5 A, 0.008 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 74.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6009LJ3 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6009LJ3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 74.5 A, 0.008 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 74.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83.3W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції DMT6009LJ3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6009LJ3 | Diodes Incorporated |
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V |
на замовлення 15632 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DMT6009LJ3 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
на замовлення 15632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)