Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6009LK3-13
DMT6009LK3-13

DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated

DMT6009LK3.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+28.28 грн
5000+27.09 грн
7500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6009LK3-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 57A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6009LK3-13 за ціною від 27.14 грн до 112.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3-13 Виробник : Diodes Zetex 276dmt6009lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LK3.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13.3A/57A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 57073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.41 грн
10+65.77 грн
100+43.82 грн
500+32.28 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LK3.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 16Vgss 2.6W 57A
на замовлення 5539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.31 грн
10+68.77 грн
100+41.16 грн
500+33.05 грн
1000+30.17 грн
2500+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3-13 Виробник : Diodes Zetex 276dmt6009lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3-13 Виробник : Diodes Inc 276dmt6009lk3.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 13.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.