Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6009LPS-13
DMT6009LPS-13

DMT6009LPS-13 Diodes Incorporated

DMT6009LPS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.40 грн
5000+26.86 грн
7500+26.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6009LPS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 87A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI5060-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMT6009LPS-13 за ціною від 28.62 грн до 96.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.27 грн
500+36.32 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LPS.pdf Description: MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta), 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 172826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.36 грн
10+62.30 грн
100+42.95 грн
500+33.45 грн
1000+30.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002833412-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 87 A, 0.0072 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0072ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.26 грн
12+71.47 грн
100+49.27 грн
500+36.32 грн
1000+33.03 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LPS-3214712.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.13 грн
10+72.93 грн
100+43.70 грн
500+34.72 грн
1000+31.93 грн
2500+28.77 грн
5000+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : Diodes Inc 111dmt6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS-13 Виробник : Diodes Zetex dmt6009lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.1A
On-state resistance: 12mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.