Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6009LSS-13
DMT6009LSS-13

DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated

DMT6009LSS.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.76 грн
5000+25.17 грн
7500+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6009LSS-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6009LSS-13 за ціною від 24.56 грн до 107.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 1133dmt6009lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 1133dmt6009lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LSS.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs
на замовлення 4355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.04 грн
10+58.66 грн
100+36.69 грн
500+30.93 грн
1000+28.95 грн
2500+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6009LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 14506 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.41 грн
10+63.32 грн
100+41.59 грн
500+32.13 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 1133dmt6009lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : Diodes Zetex 1133dmt6009lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : Diodes Inc 1133dmt6009lss.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6009LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.