Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6010LFG-13
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated

DMT6010LFG.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 311-320 дні (днів)
Мінімальна партія: 3 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 60V, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±20V, Kind of package: 13 inch reel; tape, Case: PowerDI®3333-8, On-state resistance: 11.5mΩ, Mounting: SMD, Power dissipation: 2.2W, Polarisation: unipolar, Drain current: 25A.

Інші пропозиції DMT6010LFG-13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMT6010LFG-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: PowerDI®3333-8
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.