Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6010LFG-13
DMT6010LFG-13

DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated

DMT6010LFG.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.36 грн
6000+20.24 грн
9000+19.90 грн
15000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6010LFG-13 за ціною від 19.15 грн до 70.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 19842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.60 грн
10+43.31 грн
100+29.87 грн
500+24.50 грн
1000+22.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG-13 Виробник : Diodes Incorporated DMT6010LFG.pdf MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.94 грн
10+47.29 грн
100+28.35 грн
500+23.64 грн
1000+21.59 грн
3000+19.46 грн
6000+19.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.