DMT6010LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 37.59 грн |
| 5000+ | 34.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6010LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMT6010LSS-13 за ціною від 35.90 грн до 112.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT6010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT6010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT6010LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT6010LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V |
на замовлення 6992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DMT6010LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A |
на замовлення 9126 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT6010LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DMT6010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMT6010LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
DMT6010LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 13.5A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
DMT6010LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 13.5A On-state resistance: 12mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2W Polarisation: unipolar Gate charge: 41.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 80A |
товару немає в наявності |