Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6010SCT
DMT6010SCT

DMT6010SCT Diodes Incorporated

DMT6010SCT.pdf Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+139.26 грн
10+76.68 грн
100+59.00 грн
500+39.17 грн
1000+35.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6010SCT Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6010SCT за ціною від 34.29 грн до 142.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6010SCT DMT6010SCT Виробник : Diodes Incorporated DMT6010SCT.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.77 грн
50+66.11 грн
100+59.16 грн
500+44.09 грн
1000+40.42 грн
2000+37.33 грн
5000+34.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010SCT Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6010SCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 36.3nC
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 104W
Drain current: 98A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.