DMT6010SCT Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 146.52 грн |
| 50+ | 67.84 грн |
| 100+ | 60.71 грн |
| 500+ | 45.25 грн |
| 1000+ | 41.48 грн |
| 2000+ | 38.31 грн |
| 5000+ | 35.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6010SCT Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6010SCT за ціною від 38.00 грн до 160.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6010SCT | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 417 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DMT6010SCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3 Case: TO220-3 Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 98A On-state resistance: 7.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Gate charge: 36.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DMT6010SCT | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 98A; Idm: 160A; 104W; TO220-3 Case: TO220-3 Kind of package: tube Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 98A On-state resistance: 7.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 104W Polarisation: unipolar Gate charge: 36.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 160A |
товару немає в наявності |