DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.17 грн |
| 6000+ | 17.90 грн |
| 9000+ | 16.90 грн |
| 15000+ | 15.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 9.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11W, Bauform - Transistor: U-DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DMT6012LFDF-7 за ціною від 16.45 грн до 79.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6012LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6012LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LFDF-7 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LFDF-7 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V |
на замовлення 153744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DMT6012LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 13.6nC On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.2W Drain current: 7.6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| DMT6012LFDF-7 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 7 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 13.6nC On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 1.2W Drain current: 7.6A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |