DMT6012LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 13.13 грн |
| 5000+ | 11.57 грн |
| 7500+ | 11.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6012LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6012LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.4 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMT6012LSS-13 за ціною від 10.29 грн до 56.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6012LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.4 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.4 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V |
на замовлення 8366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6012LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SO-8 T&R 2.5K |
на замовлення 44791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DMT6012LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 22.2nC On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 1.84W Drain current: 8.4A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 65A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |