DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.07 грн |
| 10+ | 33.37 грн |
| 100+ | 21.59 грн |
| 500+ | 15.50 грн |
| 1000+ | 13.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6013LSS-13 Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.4W, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції DMT6013LSS-13 за ціною від 39.49 грн до 63.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DMT6013LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
DMT6013LSS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||
 |
DMT6013LSS-13 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SO T/R |
товару немає в наявності |
|||||||
| DMT6013LSS-13 | Виробник : Diodes |
MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||
|
|
DMT6013LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
DMT6013LSS-13 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V |
товару немає в наявності |
|||||||
 |
DMT6013LSS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8 Case: SO8 Kind of package: 13 inch reel; tape Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 15nC On-state resistance: 21mΩ Power dissipation: 2.1W Drain current: 6.5A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |