DMT6015LFV-7 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 18.70 грн |
| 4000+ | 16.53 грн |
| 6000+ | 15.77 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
2000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMT6015LFV-7 Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V.
Інші пропозиції DMT6015LFV-7 за ціною від 18.55 грн до 87.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V |
на замовлення 6998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DMT6015LFV-7 | Diodes Incorporated |
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 311-320 дні (днів) |
|
| DMT6015LFV-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.04 грн |
| 10+ | 43.36 грн |
| 100+ | 28.34 грн |
| 500+ | 20.51 грн |
| 1000+ | 18.55 грн |
| DMT6015LFV-7 |
|
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 311-320 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.48 грн |
| 10+ | 41.83 грн |
| 100+ | 32.15 грн |
| 2000+ | 19.30 грн |