Продукція > DIODES INCORPORATED > DMT6015LFV-7
DMT6015LFV-7

DMT6015LFV-7 Diodes Incorporated

DMT6015LFV.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
на замовлення 1587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.62 грн
10+35.86 грн
100+24.02 грн
500+17.69 грн
1000+15.96 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMT6015LFV-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMT6015LFV-7 за ціною від 12.92 грн до 56.40 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMT6015LFV-7 DMT6015LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6015LFV.pdf MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 23517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+56.40 грн
10+39.16 грн
100+22.80 грн
500+18.32 грн
1000+16.49 грн
2000+14.06 грн
4000+12.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LFV-7 DMT6015LFV-7 Виробник : Diodes Incorporated DMT6015LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6015LFV-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMT6015LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.